Module IGBT FF200R12KT4 double transistor pour commutation haute tension

Transistor de Puissance et Module de Commutation FF200R12KT4

Le boîtier module IGBT FF200R12KT4 regroupe deux transistors en configuration demi-pont, constituant le cœur de la majorité des architectures de conversion d'énergie modernes. Ce type de semi-conducteur est essentiel pour transformer le courant continu en courant alternatif avec une précision rigoureuse, indispensable au pilotage des moteurs électriques complexes.

Construction et Fiabilité

La plaque de base isolée thermiquement permet une fixation directe sur dissipateur thermique sans isolation supplémentaire, ce qui simplifie grandement l'assemblage mécanique. Les connexions électriques par vis assurent un contact parfait et durable, résistant aux vibrations mécaniques des usines.

Spécifications Mécaniques et Électriques

• Courant Collecteur : 200 Ampères pour répondre aux besoins standards de l'industrie.
• Tension de Blocage : 1200 Volts pour une marge de sécurité étendue sur réseau 400V.
• Boîtier : Standard industriel facilitant la compatibilité mécanique.

L'utilisation de ce module standardisé permet une maintenance simplifiée et une interchangeabilité rapide avec les références correspondantes du marché de l'électronique de puissance.